宁波大学

学术活动

物理讲坛(2020年第13讲)

发布日期:2020-10-14 作者:物理科学与技术学院 文章来源:未知  责任编辑:


报告题目:硅基光电子材料与器件

报告人:中央名族大学教授,李传波

报告时间:2020年10月29日,下午13:00

报告地点:龙赛理科楼北楼116

 

报告摘要:

随着Si集成电路的集成度越来越高,信息传输的速度越来越快,传统的电互连已显现出其技术的局限性,无法满足高带宽、低功耗的需求。而光互连具有高速度、高带宽、低功耗等特点,因此,人们迫切地希望可以在短距离上实现光互连,甚至是芯片之间和芯片内部的Si基光互连。目前硅基无源光器件已经有比较好的进展,但在硅基光电探测及发光器件方面,性能还有待于提高,特别是高效的Si基光源成为Si基光互连中最具挑战的目标。因其直接带隙特性,锗锡成为一种重要的硅基半导体材料。引入少量锡组分(3%),锗锡即可使锗锡材料在整个光通信波段实现非常高的光响应,这些特点使其成为近年来的研究热点。不过,锡材料在锗材料内的固溶度非常低,容易分凝,而且,锗锡材料与硅衬底的晶格差异很大,高质量锗锡材料生长非常困难。多年来,利用分子束外延技术或高真空化学气相沉积技术,在非平衡状态及低温缓冲层方法,实现了硅基锗锡材料的生长,位错密度仍然较高,制备的器件暗电流大,光电特性不够理想。本报告从硅基锗锡材料生长着手,讲述本团队近几年在半导体光电材料与器件方面的工作。

 

报告人简介:

李传波,博士,中央民族大学教授,博导,青年QR。曾在中科院半导体所工作6年,在帝国理工、东京工业大学等海外科研机构工作7年,围绕半导体光子材料与器件、能源光子学等方向开展研究,发表论文110余篇,发明专利7项,合作撰写中、英文专著6部;近5年主持国家自然科学基金、北京市科委重点项目、JG基金、中日合作项目等11项纵向科研项目及1项横向科研项目。目前担任Journal of Semiconductors副主编、《中央民族大学学报》(自然科学版)副主编、《中国光学》青年编委,曾担任第13届、第14届IEEE四族光子学国际会议委员(IEEE GFP2016、IEEE GFP2017)、ECS PRiME 2020 (G03) 、ECS AiMES 2018 (G03)国际会议委员,中国科学院青联委员等。

 

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